[发明专利]一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法有效
| 申请号： | 201510828598.8 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105429000B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 罗飚;汤宝;王任凡;刘应军 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/227 | 分类号： | H01S5/227;C23C14/30;C23C14/10 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾;程殿军 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明适用于光电子技术领域，提供了一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法，包括：将完成脊波导结构制作的外延片置于具有温度可调节的托盘上；利用电子束蒸发SiO2，并在脊波导结构上生长SiO2达到预设时间后，控制托盘温度进行退火；在完成退火后，再次进行电子束蒸发SiO2，并依据预设时间周期性的完成电子束蒸发SiO2在脊波导结构上生长SiO2和控制托盘温度进行退火的操作，直到生成指定厚度SiO2薄膜后停止电子束蒸发SiO2。本发明实施例利用了电子束蒸发SiO2的方式改进了生长得到的SiO2层表面质量，并针对SiO2层中可能存在的应力，提出了将原本待生长指定厚度的SiO2，分离成多次生长和退火的过程，从而将应力有效的减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 直台脊 波导 激光器 芯片 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法，其特征在于，所述方法包括：将完成脊波导结构制作的外延片置于具有温度可调节的托盘上，其中，所述托盘被安装在电子束蒸发室内；利用电子束蒸发SiO2，并在所述脊波导结构上生长SiO2达到预设时间后，控制所述托盘温度进行退火；在完成所述退火后，再次进行电子束蒸发SiO2，并依据所述预设时间周期性的完成所述电子束蒸发在所述脊波导结构上生长SiO2和控制所述托盘温度进行退火的操作，直到生成指定厚度SiO2薄膜后停止电子束蒸发SiO2。
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