[发明专利]用于清洁等离子体处理室和衬底的方法有效
| 申请号： | 201510826986.2 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106298446B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 洪士平;刘又诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种用于清洁等离子体处理室的方法。方法包括将有机气体引入等离子体处理室。有机气体包括具有碳和氢的有机化合物。方法包括通过激发有机气体来生成有机等离子体。有机等离子体与等离子体处理室的内部表面上方的金属化合物残余物反应，以使金属化合物残余物挥发成为气态金属化合物。方法包括从等离子体处理室中去除气态金属化合物。本发明的实施例还涉及用于清洁等离子体处理室和衬底的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 清洁 等离子体 处理 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于清洁等离子体处理室的方法，包括：/n将有机气体引入等离子体处理室，其中，所述有机气体包括具有碳和氢的有机化合物；/n通过激发所述有机气体来生成有机等离子体，其中，所述有机等离子体与所述等离子体处理室的内部表面上方的金属化合物残余物反应，以使所述金属化合物残余物挥发成为气态金属化合物；以及/n从所述等离子体处理室中去除所述气态金属化合物；/n其中，所述金属化合物残余物的形成包括：/n在半导体衬底上方形成蚀刻停止层，其中，所述蚀刻停止层包括金属化合物；/n在所述蚀刻停止层上方形成介电层；以及/n执行等离子体蚀刻工艺，以去除所述介电层的第一部分和所述蚀刻停止层的第二部分，其中，所述金属化合物残余物由所述第二部分形成，并且所述金属化合物残余物形成在所述介电层或所述蚀刻停止层中的至少一个上方。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
