[发明专利]一种陶瓷基复合材料氮化硼界面涂层的制备方法有效
申请号: | 201510825266.4 | 申请日: | 2015-11-24 |
公开(公告)号: | CN105463403B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 王驰;孙妮娟;焦丽颖;张大海;张娟 | 申请(专利权)人: | 航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/448 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心11009 | 代理人: | 张丽娜 |
地址: | 100076 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种陶瓷基复合材料氮化硼界面涂层的制备方法,特别涉及纤维表面和基片表面氮化硼涂层的制备,属于陶瓷基复合材料增韧技术领域。本发明选用同时含B、N的单一组元NH3BH3作为BN界面的先驱体,此先驱体无毒无污染,不易燃、不易爆BN=11,易于形成化学计量比的BN,保证了制备的BN具有较好的化学计量比,避免了双组元先驱体中的B、N不成比例问题,并且制备过程中没有腐蚀性气体;本发明可在反应温度为400℃~900℃低温化学气相沉积法制备,优选700~900℃以提高BN的产率,获得的沉积产物BN含量在97%以上。低温沉积可以尽量提高纤维的强度保留率,沉积后强度保留率在90%以上,高温热处理后强度保留率在70%以上。 | ||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 复合材料 氮化 界面 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氮化硼界面涂层的制备方法,其特征在于步骤为:(1)将沉积基底进行净化预处理;(2)将净化预处理后的基底以设定倾角置于化学气相沉积炉的反应室中,NH3BH3先驱体以设定方式连接在反应室外,与反应室形成密闭的气路系统;通入设定种类、流量和时间的载气充分清洗置换气路系统中的空气;当反应室温度以5~20℃/min升温速率加热反应室至400℃~900℃,温度稳定后,在反应室外以90~200℃升华NH3BH3先驱体,升华产物通过载气输送至反应室,此时升华产物开始在基底表面沉积反应,生成氮化硼;沉积过程中保持反应室压力为5Kpa‑100Kpa,沉积过程完成后,停止升华产物的输送,保持载气流通,直至反应室程序降温至室温,关闭载气,取出带有沉积物的基底,沉积物的厚度为50nm‑3μm;(3)将步骤(2)得到的带有沉积物的基底进行高温处理,得到带有氮化硼界面涂层的基底;所述步骤(2)中升华方式为:用自动送料升华器在反应室外进行升华,具体方式为:由自动送料器以设定速率匀速将NH3BH3先驱体输送至与其相连接的升华器的一端,随后进入容器中,同时,密闭容器由感应线圈加热,使NH3BH3先驱体升华;升华器在柱平面上有两个气体连接口,分别由管路与自动送料器和载气相连,容器上部有一个气体连接口,升华时载气和所携带先驱体由此连续的被通入反应室中;所述的升华方式所使用的自动送料器包括电动机、蜗杆、储箱、升华器和加热线圈;加热线圈用于给升华器加热,升华器的左侧有载气入口,升华器的右侧有一连接管,升华器的顶端有出气管路,出气管路上安装有阀门,出气管路通过气压计进行出气气体压力的测试;先驱体放置在储箱中,电动机与蜗杆的一端固定连接,蜗杆穿过储箱和升华器右侧的连接管后进入到升华器内部,蜗杆凸出升华器内侧面最多2mm,当电动机工作时带动蜗杆转动,蜗杆转动带动储箱内的先驱体进入到升华器中,升华器通过加热线圈进行加热,从而使得先驱体升华,升华的产物通过载气从出气管路输送至反应室。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院,未经航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510825266.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:原子层沉积设备
- 下一篇:高饱和磁化强度氧化物稀磁半导体纳米点阵列的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的