[发明专利]钨基体合金及其制备方法在审
| 申请号： | 201510822213.7 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105420578A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王晓伟 | 申请（专利权）人： | 王晓伟 |
| 主分类号： | C22C27/04 | 分类号： | C22C27/04;C22C1/04;B22F9/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于钨材料技术领域，特别涉及一种钨基体合金及其制备方法。该钨基体合金的成份按质量百分比包括：4－6％的铈，0.11－0.14％的铼以及余量的钨。技术效果如下：通过添加铼、铈改善钨的脆性、高温性能和可塑性。钨基体合金用作电子发射用的电极时，工作温度大大降低，工作温度仅需800－1000℃。铈作为储量最大的稀土元素，有效提高了稀土资源的利用率。本发明生产的钨基体合金纯度高，杂质含量不超过70ppm。 | ||
| 搜索关键词： | 基体 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钨基体合金，其特征在于，该钨基体合金的成份按质量百分比包括：4－6％的铈，0.11－0.14％的铼以及余量的钨。
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