[发明专利]一种压应变量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器在审
| 申请号： | 201510819109.2 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN105470813A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 仇伯仓;胡海 | 申请（专利权）人： | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区西丽*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压应变量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器。该压应变量子阱半导体激光外延结构包括有源层以及分别位于有源层的相对两侧且与有源层堆叠排列的第一包层和第二包层。有源层包括沿有源层与第一包层和第二包层的堆叠方向设置的第一波导层、量子阱以及第二波导层。量子阱采用四元的InGaAlP材料。本发明的压应变量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器，通过改变量子阱所用的材料，能够使压应变量子阱的厚度可以在很大范围内变化，从而得到更低的阈值电流、更高的外量子效率以及更好的温度特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应变 量子 半导体 激光 外延 结构 激光器 | ||
【主权项】：
一种压应变量子阱半导体激光外延结构，其特征在于，包括有源层以及分别位于有源层的相对两侧且与所述有源层堆叠排列的第一包层和第二包层；所述有源层包括沿所述有源层与所述第一包层和所述第二包层的堆叠方向设置的第一波导层、量子阱以及第二波导层；所述量子阱采用四元的InGaAlP材料。
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