[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：在介质层中形成暴露出第一源区和第一漏区表面的第一刻蚀孔，以及暴露出第二源区和第二漏区表面的第二刻蚀孔后；在第二刻蚀孔的侧壁和底部表面形成含铝的第二氧化层；在第一刻蚀孔的侧壁和底部表面形成含硫或硒的第一氧化层；进行退火，使得含硫或硒的第一氧化层中的硫离子或硒离子扩散到第一刻蚀孔底部的第一源区和第一漏区中，含铝的第二氧化层中的铝离子扩散到第二刻蚀孔底部的第二源区和第二漏区中；去除第一氧化层和第二氧化层，在第一源区和第一漏区表面形成第一金属硅化物层，在第二源区和第二漏区表面形成第二金属硅化物层。本发明的方法减小了鳍式场效应晶体管源漏区的肖特基势垒高度。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，NMOS区域的半导体衬底上形成有第一鳍部、横跨覆盖第一鳍部侧壁和顶部表面的第一栅极和位于第一栅极两侧的第一鳍部内的第一源区和第一漏区，所述PMOS区域的半导体衬底上形成有第二鳍部、横跨覆盖第二鳍部侧壁和顶部表面的第二栅极和位于第二栅极两侧的第二鳍部内的第二源区和第二漏区；形成覆盖所述半导体衬底、第一栅极、第一源区、第一漏区、第二栅极、第二源区和第二漏区的介质层；刻蚀所述介质层，在介质层中形成暴露出第一源区和第一漏区表面的第一刻蚀孔，在介质层中形成暴露出第二源区和第二漏区表面的第二刻蚀孔；在第二刻蚀孔的侧壁和底部表面形成含铝的第二氧化层；在第一刻蚀孔的侧壁和底部表面形成含硫或硒的第一氧化层；进行退火，使得含硫或硒第一氧化层中的硫离子或硒离子扩散到第一刻蚀孔底部的第一源区和第一漏区中，含铝的第二氧化层中的铝离子扩散到第二刻蚀孔底部的第二源区和第二漏区中；进行退火后，去除第一氧化层和第二氧化层，在第一源区和第一漏区表面形成第一金属硅化物层，在第二源区和第二漏区表面形成第二金属硅化物层。