[发明专利]FinFET结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510812685.4 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN106252386B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 彭成毅;叶致锴;李宗霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述了finFET结构和形成finFET结构的方法。根据一些实施例，一种结构包括沟道区、第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、介电层和栅电极。沟道区包括位于衬底之上的半导体层。每个半导体层均与相邻的半导体层分隔开，并且每个半导体层均具有第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁和第二侧壁分别沿着垂直于衬底延伸的第一平面和第二平面对准。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区设置在沟道区的相对两侧上。半导体层从第一源极/漏极区延伸至第二源极/漏极区。介电层接触半导体层的第一侧壁和第二侧壁，并且介电层延伸至第一平面和第二平面之间的区域内。栅电极位于介电层上方。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：/n沟道区，包括位于衬底之上的第一半导体层和第二半导体层，其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层交替和垂直地堆叠，每个所述第一半导体层均与相邻的所述第一半导体层分隔开，每个所述第一半导体层均具有第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁沿着垂直于所述衬底延伸的第一平面对准，所述第二侧壁沿着垂直于所述衬底延伸的第二平面对准，每个所述第二半导体层均具有凹刻侧面，所述凹刻侧面具有晶面的表面，所述凹刻侧面在所述第一平面和所述第二平面之间延伸；/n第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，设置在所述沟道区的相对两侧上，每个所述第一半导体层均从所述第一源极/漏极区延伸至所述第二源极/漏极区；/n介电层，接触所述第一半导体层的所述第一侧壁和所述第二侧壁，所述介电层延伸至所述第一平面和所述第二平面之间的区域内；以及/n栅电极，位于所述介电层上方。/n
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