[发明专利]半导体器件中的导电迹线及其形成方法有效
| 申请号： | 201510812563.5 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN106057767B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 史朝文;余振华;普翰屏;潘信瑜;蔡豪益;许森贵 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 器件封装件包括半导体器件管芯、位于钝化层上方并且电连接至器件管芯的第一导线以及位于钝化层上方并且电连接至器件管芯的第二导线，半导体器件管芯包括顶面处的钝化层。第一导线厚于第二导线，并且第一导线和第二导线形成在相同的器件封装件层中。本发明的实施例还涉及半导体器件中的导电迹线及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 导电 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件封装件，包括：半导体器件管芯，包括位于顶面处的钝化层；第一导线，位于所述钝化层上方并且电连接至器件管芯；第二导线，位于所述钝化层上方并且电连接至所述器件管芯，其中，所述第一导线厚于所述第二导线，并且其中，所述第一导线和所述第二导线形成在相同的器件封装件层中；以及第三导线，形成在所述相同的器件封装件层中，其中，所述第三导线厚于所述第二导线，并且所述第二导线设置在所述第一导线和所述第三导线之间，所述第一导线和所述第三导线的顶面高于所述第二导线的顶面。
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