[发明专利]一种采用可靠耐用EVA封装的高性能太阳能组件有效
| 申请号: | 201510811923.X | 申请日: | 2015-11-23 |
| 公开(公告)号: | CN105449021B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
| 发明(设计)人: | 李仙寿 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H02S40/42;H02S40/44 |
| 代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人: | 任立 |
| 地址: | 214203 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种采用可靠耐用EVA封装的高性能太阳能组件,属于太阳能装置技术领域。该采用可靠耐用EVA封装的高性能太阳能组件包括边框和边框中的电池单元,边框相对的两侧边缘设置有进水口和排水口;电池单元包括基板,基板上依次设置有散热层、第一膜层、太阳能电池片层、第二膜层、透明盖板和第三膜层,散热层内均匀间隔设置有列管,列管的两端分别与进水口和排水口连通,第一膜层、第二膜层和第三膜层均为EVA薄膜。通过三层EVA薄膜的密封,保证了太阳能电池片的密封性和工作的稳定性。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 采用 可靠 耐用 eva 封装 性能 太阳能 组件 | ||
【主权项】:
一种采用可靠耐用EVA封装的高性能太阳能组件,其特征在于:包括边框和边框中的电池单元,所述边框相对的两侧边缘设置有进水口和排水口;所述电池单元包括基板,所述基板上依次设置有散热层、第一膜层、太阳能电池片层、第二膜层、透明盖板和第三膜层,所述散热层内均匀间隔设置有列管,所述列管的两端分别与所述进水口和排水口连通,所述第一膜层、第二膜层和第三膜层均为EVA薄膜;所述EVA薄膜的制备方法包括以下步骤:㈠配料:称取原料,EVA薄膜中各成分的质量百分比为:乙烯‑醋酸乙烯共聚物:55‑78%、纳米铝粉:0.36‑0.48%、纳米锌粉:0.25‑0.33%、纳米二氧化硅:0.57‑0.72%、脂肪醇聚氧乙烯醚:0.12‑0.23%、丙烯酸:0.15‑0.17%、丙二醇甲醚醋酸酯:0.26‑0.45%、过氧化苯甲酸叔丁酯:0.56‑0.89%、叔丁基过氧化2‑乙基己基碳酸酯:0.46‑1.23%、3‑氨丙基三乙氧基硅烷:0.56‑0.76%、3,5‑二叔丁基‑4‑羟基苯甲酸十六烷基酯:0.12‑0.14%、丁基胶:0.67‑1.26%、钛白粉:0.11‑0.42%、硅藻土:0.27‑0.43%、失水山梨醇脂肪酸酯:0.31‑1.29%、丙烯酸酯:0.77‑0.95%,余量为有机溶剂;㈡将步骤㈠中称取的原料送入高速研磨机进行高速研磨,高速研磨时间为8‑10min;㈢混合:将步骤㈡高速研磨的产物投入反应釜中加热至45‑55℃,搅拌35‑40min,搅拌速度500‑800转/分钟;㈣挤出:将步骤㈢所得混合物倒入双螺杆挤出造粒机中混炼造粒制成EVA物料,双螺杆挤出机共分三段,即入口段、中间段和出口段,其温度分别控制为 :85℃,96℃,88℃;㈤层压:将步骤㈣中得到的EVA物料送入层压机进行层压成膜,层压分为三个阶段;开始阶段,层压机的温度保持在85‑145℃,EVA物料熔化,真空泵对层压机的下室抽真空,上室保持真空,太阳能组件不受压力;EVA固化阶段,层压机温度升高到160‑195℃,同时使用超声波发生装置对EVA物料进行干预,控制超声波的频率和声强分别是8KHZ‑6MHZ和2‑9W/cm²,EVA物料发生快速的交联反应,层压机的下室继续保持抽真空,及时排出固化过程产生的气体,同时上室充气,上下室之间的压力差使层压机中的橡胶层对组件施加压力;结束阶段,EVA固化完成,制得EVA薄膜,先是层压机上室抽真空,撤去压力,然后层压机的下室充气,开盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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