[发明专利]一种铜铟镓硒太阳电池窗口层的制备方法

摘要

本发明公开了一种铜铟镓硒太阳电池窗口层的制备方法，包括：步骤一、在衬底上依次沉积底电极Mo、吸收层CIGS、缓冲层CdS；然后放入真空室内；步骤二、对真空室进行抽真空，通入氩气和氧气的混合气体；步骤三、当真空室内真空度达到0.1-1.0Pa时，采用射频磁控溅射方法对ZnO靶进行溅射；步骤四、将真空室内的真空度抽至1×10^-3～3×10^-4Pa，通入氩气和氧气的混合气体；步骤五、当真空室内真空度达到0.1-1.0Pa时，采用直流磁控溅射方法对成分比为9:1的In₂O₃:SnO₂靶进行溅射，在衬底的ZnO薄膜上镀制有厚度范围为300-800纳米的ITO薄膜。

主权项

一种铜铟镓硒太阳电池窗口层的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、在衬底上依次沉积底电极Mo、吸收层CIGS、缓冲层CdS；然后放入真空室内；步骤二、将真空室内的真空度抽至1×10^‑3～3×10^‑4Pa的范围内，然后向真空室内通入氩气和氧气的混合气体，氩气和氧气的流量比范围是4:1～10:1；步骤三、当真空室内真空度达到0.1‑1.0Pa时，采用射频磁控溅射方法对ZnO靶进行溅射，靶功率密度范围为0.3‑2.0W/cm²，使得缓冲层CdS上镀制有厚度30‑100纳米的ZnO薄膜；步骤四、将真空室内的真空度抽至1×10^‑3～3×10^‑4Pa，通入氩气和氧气的混合气体，氩气和氧气的流量比范围是4:1～10:1；步骤五、当真空室内真空度达到0.1‑1.0Pa时，采用直流磁控溅射方法对成分比为9:1的In₂O₃:SnO₂靶进行溅射，靶功率密度范围为1.5‑5.0W/cm²，在衬底的ZnO薄膜上镀制有厚度范围为300‑800纳米的ITO薄膜，即制成ZnO和ITO双层薄膜的铜铟镓硒薄膜太阳电池窗口层。