[发明专利]氮化物半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510789242.8 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105609418B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木肇 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/338 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明得到一种能够制造使栅极漏电流减少、提高寿命和动作稳定性的高可靠性的氮化物半导体装置的方法。形成晶体管，该晶体管具有与氮化物半导体层(3)进行了肖特基接合的栅极电极(4)。在200℃～360℃的温度下对晶体管进行8小时～240小时的高温退火。在高温退火后，进行RF预烧，该RF预烧是在180℃～360℃的沟道温度下对晶体管施加高频。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：形成晶体管的工序，该晶体管具有与氮化物半导体层进行了肖特基接合的栅极电极；在200℃～360℃的温度下对所述晶体管进行8小时～240小时的高温退火的工序；以及在所述高温退火后进行RF预烧的工序，该RF预烧是在180℃～360℃的沟道温度下对所述晶体管施加高频，所述RF预烧使在所述高温退火之后、所述RF预烧之前存在的栅极漏电流减少。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510789242.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：处理装置、喷嘴及切割装置
- 下一篇：一种防止蚀刻机台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
