[发明专利]一种磁控溅射制备BMN薄膜的方法在审
| 申请号： | 201510788334.4 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105220123A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 高虹 | 申请（专利权）人： | 盐城工学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 | 代理人： | 姜彦 |
| 地址： | 224051 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁控溅射制备BMN薄膜的方法，包括将衬底固定在基板支架上，打开分子泵对溅射腔室进行抽真空；到达本底真空度后，向溅射腔室内通入氩气，调节流量计，对基片再次进行清洗；关闭高压，打开基片旋转电机，调节基片转速为30rpm；当衬底温度达到温度后，先关闭靶材档板，调节射频功率至实验所需值，预溅射3-5min；通入氧气，调节流量计，设定Ar/O2体积比，使腔室气压达到溅射气压4.0Pa；调节基片电压，打开档板，开始镀膜；经过氧气氛下退火得到晶化薄膜。本发明薄膜样品中BMN的(222)面衍射峰强度增强，对薄膜组分的影响小，薄膜中各元素摩尔比几乎不随频率的变化而变化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 制备 bmn 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射制备BMN薄膜的方法，其特征在于，该磁控溅射制备BMN薄膜的方法包括：在阴极靶位置上安装BMN陶瓷靶材，将预处理的衬底固定在基板支架上，打开分子泵对溅射腔室进行抽真空；到达本底真空度后，向溅射腔室内通入高纯的氩气，调节流量计使气压，加高压对基片再次进行清洗；关闭高压，打开基片旋转电机，调节基片转速为30rpm；衬底温度升高，关闭靶材档板，调节射频功率至80‑200W，预溅射3‑5min；通入高纯氧气，调节流量计，设定Ar/O2体积比，并使腔室气压达到溅射气压4.0Pa；调节基片电压为100V，打开档板，开始镀膜；经过700℃氧气氛下退火30min得到晶化薄膜。
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