[发明专利]一种双面抛光蓝宝石晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201510787638.9 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105313234A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 左洪波;杨鑫宏;张学军;袁志勇 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨秋冠光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;C30B33/02;C30B33/10;B24B9/16;B24B37/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双面抛光蓝宝石晶片的加工方法，主要工艺过程包括：多线切割、晶片退火、晶片化学湿法腐蚀、晶片外周倒角、晶片化学机械抛光。采用本发明方法加工蓝宝石晶片，简化了作业步骤，使操作更加简单，可以有效缩短加工周期；在保证晶片厚度和表面质量的前提下，可降低切片过程为后续加工预留的加工余量，提高晶体的利用率，从而降低蓝宝石晶片的生产制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 抛光 蓝宝石 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种双面抛光蓝宝石晶片的加工方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)将蓝宝石试样利用金刚石多线切割成蓝宝石晶片；(2)将蓝宝石切割片进行高温晶片退火处理；(3) 晶片退火后的晶片利用化学湿法腐蚀去除晶片表面的损伤层；(4)腐蚀后的晶片进行外周倒角；(5)倒角后的晶片利用化学机械抛光加工成最终产品。
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