[发明专利]半导体器件结构的结构和形成方法有效
| 申请号： | 201510782454.3 | 申请日： | 2015-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN105990440B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 巫幸晃;陈键贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括：栅极堆叠件，位于半导体衬底上方；和源极/漏极结构，邻近栅极堆叠件。半导体器件结构还包括：覆盖元件，位于源极/漏极结构上方。覆盖元件具有顶面和侧面。覆盖元件的顶面与侧面的宽度比率在从约0.125至约1的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，包括：栅极堆叠件，位于半导体衬底上方；源极/漏极结构，邻近所述栅极堆叠件；以及覆盖元件，位于所述源极/漏极结构上方，其中，所述覆盖元件具有顶面和侧面，并且所述覆盖元件的所述顶面与所述侧面的宽度的比率在从0.125至1的范围内，其中，所述覆盖元件的所述顶面的表面定向是{311}，并且所述覆盖元件的所述侧面的表面定向是{111}。
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