[发明专利]具有脱氧栅极堆叠件的多栅极场效应晶体管有效
| 申请号： | 201510781155.8 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN106298540B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;叶致锴;柯志欣;吴政宪;陈亮吟;于雄飞;陈燕铭;杨建伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种方法，包括：在半导体鳍上形成硅覆盖层；在硅覆盖层上方形成界面层；在界面层上方形成高k栅极介电层；以及在高k栅极介电层上方形成脱氧金属层。然后，对硅覆盖层、界面层、高k栅极介电层、和脱氧金属层执行退火。填充金属沉积在高k栅极介电层上方。本发明还提供了一种具有脱氧栅极堆叠件的多栅极场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 脱氧 栅极 堆叠 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包括：在半导体鳍上形成硅覆盖层；在所述硅覆盖层上方形成界面层；在所述界面层上方形成高k栅极介电层；在所述高k栅极介电层上方形成脱氧金属层；对所述硅覆盖层、所述界面层、所述高k栅极介电层和所述脱氧金属层执行退火；以及在所述高k栅极介电层上方沉积填充金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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