[发明专利]基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法有效
| 申请号： | 201510772384.3 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105304689B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 程新红;沈玲燕;王中健;曹铎;郑理;王谦;张栋梁;李静杰;俞跃辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法，将单层石墨烯转移到AlGaN表面，经过氟离子处理后绝缘，以此替代常规氮化物钝化层。然后在石墨烯上生长高k材料，两者共同作为栅介质，制备AlGaN/GaN金属‑绝缘层‑半导体（MIS）HEMT器件。石墨烯相比于传统钝化结构，具有物理厚度薄（亚纳米量级），附加阈值电压小的优点。同时，单层石墨烯也具有很好的隔离性能，防止生长高k材料的过程中，AlGaN表面被氧化而产生表面陷阱，以达到钝化的效果。另外，氟化过程能使石墨烯中引入负电荷，有利于HEMT器件的阈值电压正向移动，为实现增强型器件提供可能。本发明结构和方法简单，效果显著，在微电子与固体电子学技术领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氟化 石墨 钝化 algan gan hemt 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件包括：基底；GaN层，位于所述基底之上；AlGaN层，结合于所述GaN层，且与所述GaN层之间的界面形成二维电子气面；源极及漏极，形成于所述AlGaN层两端；绝缘的石墨烯钝化层，结合于所述AlGaN层表面；栅介质层，结合于所述绝缘的石墨烯钝化层表面；栅金属层，结合于所述栅介质层表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510772384.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有单腿结构的美式塑料异型材挤出模具
- 下一篇：一种橡胶注射机模具
- 同类专利
- 专利分类
