[发明专利]薄膜存储器技术的L形电容器有效
| 申请号： | 201510770830.7 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105870324B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;吴伟成;张健宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非平面的FEOL(前道工序)电容器和一种相关的制造方法，该非平面的FEOL电容器包括设置在电极间的电荷捕获介电层。在一些实施例中，非平面的FEOL电容器具有设置在衬底上方的第一电极。电荷捕获介电层在衬底上设置在邻近第一电极的位置处。电荷捕获介电层具有“L”形，具有在第一方向上延伸的横向部分和在第二方向上延伸的垂直部分。第二电极布置在横向部分上，并通过垂直部分与第一电极间隔开。本发明还提供了薄膜存储器技术的L形电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 存储器 技术 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种集成电容器，包括：第一电极，设置在衬底上方；第一电荷捕获介电层，在所述衬底上设置在邻近所述第一电极的位置处，其中，所述第一电荷捕获介电层包括“L”形或“U”形，并且具有在第一方向上延伸的第一横向部分和在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的第一垂直部分；以及第二电极，布置在所述第一横向部分上，并通过所述第一垂直部分与所述第一电极间隔开，其中，所述第一电极的上表面与所述第二电极的上表面对齐。
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