[发明专利]自对准背面深沟槽隔离结构有效
| 申请号： | 201510770342.6 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN106486413B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 黄益民;施俊吉;亚历山大·卡尔尼茨基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明提供了自对准背面深沟槽隔离结构。公开了一种像素传感器器件。器件包括浅沟槽隔离结构、阱区域和背面隔离结构。阱区域和二极管区域邻近浅沟槽隔离结构。背面隔离结构与浅沟槽隔离结构自对准并且布置在浅沟槽隔离结构上方。背面隔离结构邻近二极管区域。公开了浸没光刻布置以补偿浸没工具漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 背面 深沟 隔离 结构 | ||
【主权项】：
1.一种像素传感器器件，包括：/n浅沟槽隔离结构；/n二极管区域，至少部分地邻近所述浅沟槽隔离结构；/n阱区域，位于所述二极管区域内并且邻近所述浅沟槽隔离结构；/n背面隔离结构，与所述浅沟槽隔离结构自对准并且布置在所述浅沟槽隔离结构上方，所述背面隔离结构邻近所述二极管区域；以及/n多晶硅区，位于所述背面隔离结构下方和位于所述浅沟槽隔离结构之上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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