[发明专利]一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管在审
| 申请号： | 201510770220.7 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105355736A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 张雄;代倩;吴自力;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/10 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管(UV-LED)，自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子阱有源区、AlzGa1-zN电子阻挡层，GaN或低Al组分AlqGa1-qN量子点p型层和氧化铟锡(ITO)导电层，其中z>y>x>q，在ITO导电层和n区上分别引出p型和n型欧姆电极。由于采用GaN或低Al组分AlqGa1-qN量子点作为p区材料，易实现Mg掺杂和激活；又因为量子点相较于高维材料具有更大的禁带宽度，可以避免其对紫外出射光的吸收，因此该结构可以从而提高UV-LED的外量子效率和发光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 量子 结构 紫外 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有量子点p区结构的UV‑LED，其特征在于：包括自下而上依次设置的衬底(101)，AlN成核层(102)、非掺杂AlGaN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区(105)、AlzGa1‑zN电子阻挡层(106)、GaN或者低Al组分的AlqGa1‑qN量子点p型层(107)和氧化铟锡导电层(108)，其中z>y>x>q，在氧化铟锡导电层(108)上引出p型欧姆电极(109)，在n型AlGaN层(104)上引出n型欧姆电极(110)。
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