[发明专利]蚀刻方法在审
| 申请号： | 201510767562.3 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105590837A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 饭田英一 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种蚀刻方法。使附着于被加工物的水分在短时间内干燥并且防止氟酸的生成。作为被加工物的蚀刻方法，包含如下的工序：使腔室(11)内的压力成为负压状态、将惰性气体等离子化而去除附着于被加工物的水分的工序；以及在去除了水分之后、取代惰性气体而使用氟系稳定气体、将氟系稳定气体等离子化而对被加工物进行干法蚀刻的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻方法，对被加工物进行蚀刻，该蚀刻方法包含如下的工序：水分去除工序，在使收纳被加工物的腔室内的压力成为负压的状态下供给惰性气体，在第1加工条件下使该惰性气体等离子化而将附着于被加工物的水分去除；以及蚀刻工序，在该水分去除工序之后，将该惰性气体切换成氟系稳定气体并维持该腔室内的负压状态，在第2加工条件下使该氟系稳定气体等离子化而对被加工物进行干法蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
