[发明专利]半导体元件以及其制作方法有效
| 申请号： | 201510764951.0 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106684085B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张原祥;邱意珊;张志谦;杨建军;张文娟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件以及其制作方法。该半导体元件的制作方法包括下列步骤。在一半导体基底的一存储器区上形成多个选择栅极。在两相邻的选择栅极之间形成两电荷存储结构。在半导体基底中形成一源极区，且源极区形成于两相邻的选择栅极之间。形成一绝缘块，且绝缘块形成于两电荷存储结构之间以及源极区上。在绝缘块上形成一存储栅极，且存储栅极与两电荷存储结构连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制作方法，包括：在一半导体基底的一存储器区上形成多个选择栅极；在两相邻的选择栅极之间形成两电荷存储结构；在该半导体基底中形成一源极区，其中该源极区形成于该两相邻的选择栅极之间；形成一绝缘块，该绝缘块形成于该两电荷存储结构之间以及该源极区上；以及在该绝缘块上形成一存储栅极，其中该存储栅极与该两电荷存储结构连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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