[发明专利]栅极上的缓冲层及其形成方法有效
| 申请号： | 201510764195.1 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN106098554B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 张简旭珂;刘继文;吴志楠;林俊泽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 描述了栅极上的缓冲层及其形成方法。根据一个方法实施例，形成栅极结构。该栅极机构包括位于衬底上方的栅极电介质，位于栅极电介质上方的功函调整层，位于功函调整层上方的含金属材料。缓冲层形成在含金属材料上。介电材料形成在缓冲层上。根据一种结构实施例，栅极结构包括高k栅极电介质和金属栅电极。缓冲层位于金属栅电极上。电介质盖位于缓冲层上。层间电介质位于衬底上方以及围绕栅极结构。层间电介质的顶面与电介质盖的顶面共面。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 缓冲 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：/n形成栅极结构，所述栅极结构包括：/n位于衬底上方的栅极电介质，/n位于所述栅极电介质上方的功函调整层，/n以及位于所述功函调整层上方的含金属材料；/n在所述含金属材料上形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述含金属材料、所述功函调整层以及所述栅极电介质的顶面；以及/n在所述缓冲层上形成介电材料；/n在所述衬底上方形成层间电介质，其中，所述介电材料的顶面与所述层间电介质的顶面共面，所述缓冲层与所述栅极电介质直接接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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