[发明专利]相变化存储装置的制造方法

摘要

一种相变化存储装置的制造方法是在沉积底电极材料时，一并定义出较小内径的通孔，并以牺牲材料保护较小内径的通孔，因此，本发明的制造方法无需额外的屏蔽即可精确定义较小尺寸的加热器。此外，上述制造方法是以现有的成熟半导体工艺加以实现，因此工艺中的各项参数较容易精准控制。

主权项

一种相变化存储装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一基板，其包含至少一导电接点；形成图案化的一介电层于该基板上，其中该介电层包含至少一第一通孔，以曝露出该导电接点；形成一底电极材料于该第一通孔的侧壁以及底部，使该第一通孔的内径缩小，其中该底电极材料与该导电接点电性连接；填入一牺牲材料于该第一通孔；部分移除该底电极材料，使该底电极材料的顶表面低于该介电层的顶表面；填入一介电材料于该牺牲材料以及该介电层间；移除该牺牲材料以形成一第二通孔，并曝露出该底电极材料；以及填充一导电材料于该第二通孔，并与该底电极材料电性连接。