[发明专利]具有可湿剥离的中间层的半导体结构的图案化工艺有效
| 申请号： | 201510755863.4 | 申请日： | 2015-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN106019849B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 陈建志;陈佳伟;张庆裕;吴少均 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据一些实施例提供了一种光刻方法。光刻方法包括在衬底上形成聚合材料的下层；在下层上形成含硅中间层，其中含硅中间层具有重量百分比小于20％的硅浓度并且是可湿剥离的；在含硅中间层上形成图案化的光敏层；实施第一蚀刻工艺以将图案化的光敏层的图案转印至含硅中间层；实施第二蚀刻工艺以将图案转印至下层；以及对含硅中间层和下层实施湿剥离工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 剥离 中间层 半导体 结构 图案 化工 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，包括：在衬底上形成聚合材料的下层；在所述下层上形成含硅中间层，其中，所述含硅中间层具有重量百分比小于20％的硅浓度，并且所述含硅中间层是可湿剥离的；在所述含硅中间层上形成图案化的光敏层；实施第一蚀刻工艺以将所述图案化的光敏层的图案转印至所述含硅中间层；实施第二蚀刻工艺以将所述图案转印至所述下层；以及对所述含硅中间层和所述下层实施湿剥离工艺；所述光刻方法还包括：对所述含硅中间层实施等离子体处理，其中，所述第二蚀刻工艺是使用含硫气体和氧气(O2)的混合物的等离子体蚀刻工艺，所述等离子体处理使用包含氮气(N2)和氢气(H2)的气体。
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