[发明专利]金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种金属氧化物半导体场效应管，包括由多个相同的单原胞组成的单胞阵列，单原胞包括第一导电类型的衬底、衬底上的第二导电类型阱区、阱区内的第一导电类型掺杂区以及衬底上的分裂栅极，分裂栅极包括衬底上的栅氧化层，栅氧化层上相互分离的第一多和第二多晶硅栅，填充于第一和第二多晶硅栅之间并将其覆盖、将其间隙填充的填充氧化层，以及覆盖第一、第二多晶硅栅及填充氧化层的隔离介质氧化层。本发明还涉及一种金属氧化物半导体场效应管的制造方法。本发明可以降低栅极电荷Qg，以及降低源漏寄生电容Cds的动态值。

主权项

1.一种金属氧化物半导体场效应管，包括由多个相同的单原胞组成的单胞阵列，所述单原胞包括第一导电类型的衬底、所述衬底上的第二导电类型阱区、所述阱区内的第一导电类型掺杂区以及所述衬底上的分裂栅极，所述分裂栅极从一第一导电类型掺杂区延伸至相邻的另一第一导电类型掺杂区上，其特征在于，所述分裂栅极包括衬底上的栅氧化层，所述栅氧化层上相互分离的第一多晶硅栅和第二多晶硅栅，填充于第一多晶硅栅和第二多晶硅栅之间并部分覆盖第一和第二多晶硅栅、将第一和第二多晶硅栅间的间隙填充的填充氧化层，以及覆盖所述第一多晶硅栅、第二多晶硅栅及填充氧化层的隔离介质氧化层；所述填充氧化层、第一和第二多晶硅栅是所述阱区的注入阻挡层和所述掺杂区的注入阻挡层；所述第一和第二导电类型为相反的导电类型。