[发明专利]相变化记忆体及其制造方法在审
| 申请号： | 201510749756.0 | 申请日： | 2015-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105428525A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 苏水金 | 申请（专利权）人： | 宁波时代全芯科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 315195 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种相变化记忆体及其制造方法。相变化记忆体包含主动元件、下电极、第一绝缘层、上电极、加热器以及环状相变化层。下电极耦接主动元件，第一绝缘层位于下电极上方，而上电极位于第一绝缘层上方。加热器嵌于第一绝缘层中，而环状相变化层则围绕第一绝缘层与上电极，且环状相变化层接触加热器的一侧面。由于加热层与环状相变化层之间的接触面积很小，因此相变化记忆体的重置电流很低。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含：形成一下电极；形成一加热器于该下电极上方；形成一第一绝缘层覆盖该加热器；形成一上电极于该第一绝缘层上；以及形成一环状相变化层围绕该第一绝缘层与该上电极，其中该环状相变化层接触该加热器的一侧面。
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