[发明专利]一种LED外延层生长方法在审
| 申请号： | 201510737719.8 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN105304774A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 徐平;苗振林;卢国军 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人： | 何自刚 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开LED外延层生长方法，生长低温缓冲层GaN为：在衬底上生长低温缓冲层GaN-1，温度500℃-600℃，压力400mbar-500mbar，通入NH3、TMGa、H2；在缓冲层GaN-1上生长缓冲层GaN-2，温度为510℃-650℃，压力为320mbar-500mbar，通入NH3、TMGa、H2；在缓冲层GaN-2上生长缓冲层GaN-3，温度520℃-700℃，压力256mbar-500mbar，通入NH3、TMGa、H2，低温缓冲层GaN-1、GaN-2、GaN-3依次按以上顺序生长3-5个周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、交替生长掺杂In的InxGa(1‑x)N/GaN发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其特征在于，所述生长低温缓冲层GaN为分步周期性在衬底上生长缓冲层，进一步为：在衬底上生长厚度为10nm‑20nm的低温缓冲层GaN‑1，生长温度为500℃‑600℃，反应腔的压力为400mbar‑500mbar，通入流量为10000sccm‑20000sccm的NH3、50sccm‑100sccm的TMGa、100L/min‑130L/min的H2；在低温缓冲层GaN‑1上生长厚度为10nm‑20nm的缓冲层GaN‑2，生长温度为510℃‑650℃，反应腔的压力为320mbar‑500mbar，通入流量为10000sccm‑20000sccm的NH3、55sccm‑110sccm的TMGa、100L/min‑156L/min的H2；在低温缓冲层GaN‑2上生长厚度为10nm‑20nm的缓冲层GaN‑3，生长温度为520℃‑700℃，反应腔的压力为256mbar‑500mbar，通入流量为10000sccm‑20000sccm的NH3、60.5sccm‑121sccm的TMGa、100L/min‑187.2L/min的H2，低温缓冲层GaN‑1、GaN‑2、GaN‑3依次按以上顺序生长3‑5个周期。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510737719.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
