[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201510736227.7 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106653844A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云;徐建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部；形成横跨部分鳍部侧壁和顶部表面的伪栅；形成覆盖所述半导体衬底、鳍部和伪栅的介质层，所述介质层的表面与伪栅的顶部表面齐平；去除所述伪栅，形成凹槽；在所述凹槽的侧壁和底部表面形成含氟的氧化层；在所述含氟的氧化层表面上形成高K介质层；对所述含氟的氧化层和高K介质层进行退火，使得含氟氧化层中的氟离子扩散至凹槽底部的鳍部中，剩余的氧化层作为界面层；退火后，在所述高K介质层上形成填充凹槽的金属栅极。本发明的方法使得氟离子均匀扩散到凹槽底部的鳍部中，改善了N型鳍式场效应晶体管的HCI效应以及P型鳍式场效应晶体管的NBTI效应。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部；形成横跨部分鳍部侧壁和顶部表面的伪栅；形成覆盖所述半导体衬底、鳍部和伪栅的介质层，所述介质层的表面与伪栅的顶部表面齐平；去除所述伪栅，形成凹槽；在所述凹槽的侧壁和底部表面形成含氟的氧化层；在所述含氟的氧化层表面上形成高K介质层；对所述含氟的氧化层和高K介质层进行退火，使得含氟氧化层中的氟离子扩散至凹槽底部的鳍部中，剩余的氧化层作为界面层；退火后，在所述高K介质层上形成填充凹槽的金属栅极。
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