[发明专利]一种MEMS圆片级真空封装结构及其制作方法

摘要

一种MEMS圆片级真空封装结构及其制作方法。封装结构包括硅盖板和带可动结构的MEMS圆片，盖板上带有垂直通孔，通孔内部填充有导电材料，盖板键合面有凹槽，凹槽底部有一层吸气剂薄膜，硅盖板与带可动结构的MEMS圆片通过圆片键合形成真空封装结构。本发明的制作方法首先在盖板上制作出通孔，孔内填充导电材料。然后在键合面上制作出凹槽，槽底部淀积一层吸气剂薄膜，键合区域淀积一层多层金属薄膜，将盖板与带可动结构的MEMS圆片在真空环境中进行圆片键合。本发明通过在硅盖板上制作带有吸气剂的槽和通孔，实现了密闭凹槽的电极引出，不需引线键合，工序简单，同时提高了封装结构内真空度的维持能力，避免了切割时颗粒对可动结构的沾污，保证器件性能。

主权项

一种MEMS圆片级真空封装结构，其特征在于：包括硅盖板(100)和带可动结构(201)的MEMS圆片(200)；所述硅盖板(100)的下表面加工有N个用于容纳所述可动结构(201)的凹槽(101)，凹槽(101)的底部覆盖一层吸气剂薄膜(106)；硅盖板(100)上加工有M个通孔(102)，通孔(102)中填充导电材料(104)，所述导电材料(104)的上端分别与硅盖板(100)的上表面平齐；通孔(102)的侧壁、硅盖板(100)的下表面上除凹槽(101)以外的区域以及硅盖板(100)的上表面均设置有绝缘层(103)，所述硅盖板(100)下表面绝缘层上加工有金属键合区(105)；硅盖板(100)通过金属键合区(105)与MEMS圆片(200)进行圆片键合，形成真空封装结构，所述导电材料(104)一端与MEMS圆片(200)的焊盘连接，另一端引出用于与外部电路连接的金属连线(303)；其中M、N为大于1的自然数。