[发明专利]一种GaN基激光器和相应制造方法有效
| 申请号： | 201510729473.X | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105356297B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 李亮;刘应军;汤宝;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾;程殿军 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体激光器领域，提供了一种GaN基激光器和相应制造方法，所述方法包括：在衬底上生长非掺的GaN层；在所述非掺的GaN层上生长非掺的AlGaN/GaN超晶格层；在所述非掺的AlGaN/GaN超晶格层上生长多量子阱有源区；分别向用于转化为P型电流注入层和N型电流注入层的量子阱区域注入Mg和Si；退火活化所述Mg离子和Si离子；在没有注入Mg或Si的量子阱区域沉积生成上限制层。本发明实施例通过注入的方法形成P型和N型电流注入层，因此对上限制层材料的导电性无要求，因此可低温生长沉积ITO、SiO2、Al2O3、SiN和TiO2等低折射率材料，形成上限制层，限制光场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 激光器 相应 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基激光器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上生长非掺的GaN层；在所述非掺的GaN层上生长非掺的AlGaN/GaN超晶格层；在所述非掺的AlGaN/GaN超晶格层上生长多量子阱有源区；分别向用于转化为P型电流注入层和N型电流注入层的量子阱区域注入Mg和Si；退火活化所述Mg离子和Si离子；在没有注入Mg或Si的量子阱区域沉积生成上限制层。
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