[发明专利]交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺在审
| 申请号： | 201510726561.4 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105529344A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 肖荣福;郭一民;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺，包括：形成底电极；在所述底电极顶部形成磁记忆单元阵列，其中包括制备多层薄膜形成磁性隧道结以及与其串联的NP/M/PN结构或PN/M/NP结构，其中NP为NP结，PN为PN结，M为金属层；在所述磁记忆单元阵列顶部形成顶电极。由本发明所制得的交叉矩阵列式磁性随机存储器，利用一对极性连接方向相反的串联二极管替代三极管作为磁记忆单元中的电流流向选择器，实现了将复杂的供电网路改用简单的交叉式供电方式。本发明极大的简化了MRAM的生产工艺、降低了成本，并且可以极大地提高存储芯片的集成度，特别是对于pSTT-MRAM产品。 | ||
| 搜索关键词： | 交叉 矩阵 磁性 随机 存储器 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种磁性随机存储器制造工艺，其特征在于，包括：形成底电极；在所述底电极顶部形成磁记忆单元阵列，其中包括制备多层薄膜形成磁性隧道结以及与其串联的NP/M/PN结构或PN/M/NP结构，其中NP为NP结，PN为PN结，M为金属层；在所述磁记忆单元阵列顶部形成顶电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510726561.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示面板及制造该显示面板的方法
- 下一篇：发光二极管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
