[发明专利]三级管用外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201510725514.8 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105336769A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 王东盛;苗操;李亦衡;魏鸿源;严文胜;张葶葶;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三级管用外延片及其制备方法，其制成的三极管电子器件漏电更低、击穿电压更高、寿命更长。一种三级管用外延片，包括依次层叠的衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN本征层、GaN盖层，所述衬底为图形化蓝宝石衬底，所述GaN成核层为C掺杂的GaN成核层，所述GaN缓冲层为C掺杂的GaN缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 三级 管用 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三级管用外延片，包括依次层叠的衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN本征层、GaN盖层，其特征在于：所述衬底为图形化蓝宝石衬底，所述GaN成核层为C掺杂的GaN成核层，所述GaN缓冲层为C掺杂的GaN缓冲层。
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