[发明专利]一种使用化学气相沉积法制备钙钛矿薄膜太阳能电池的方法在审
| 申请号： | 201510724089.0 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105355794A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 范智勇;何进 | 申请（专利权）人： | 深港产学研基地 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/44;C23C16/44;H01L21/205 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 孙菊梅 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用化学气相沉积法制备钙钛矿薄膜太阳能电池的方法，其特征在于括如下步骤：(1)对衬底进行预处理；(2)在预处理后的衬底表面涂覆TiO2致密层；(3)一步法制备钙钛矿材料层；(4)在钙钛矿材料层上旋涂制备Spiro-OMeTAD太阳能电池空穴传输层；(5)将步骤(1)-(4)制备的器件烘干，完成阴极金属电极沉积，得到钙钛矿薄膜太阳能电池。本发明利用简单的气相运输方法，开发了一种简单的一步的化学气相沉积(CVD)法，不依赖高真空设备来制备卤化物钙钛矿太阳能电池，使其能量转化效率超过11％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 化学 沉积 法制 备钙钛矿 薄膜 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
一种使用化学气相沉积法制备钙钛矿薄膜太阳能电池的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)对衬底进行预处理；(2)在预处理后的衬底表面涂覆TiO2致密层；(3)将甲基碘化胺和卤化铅分别放入两个坩埚中并置于管式炉上风口，涂覆有TiO2致密层的衬底置于管式炉下风口，甲基碘化胺和卤化铅两种反应源同时蒸发成为气相反应源，通过惰性气体运载气相反应源至衬底，加热衬底完成反应，获得钙钛矿材料层；(4)在钙钛矿材料层上旋涂制备Spiro‑OMeTAD太阳能电池空穴传输层；(5)将步骤(1)‑(4)制备的器件烘干，完成阴极金属电极沉积，得到钙钛矿薄膜太阳能电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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