[发明专利]具有为块状半金属的半导体材料的器件及其形成方法

摘要

本发明描述了器件和形成这样的器件的方法，器件具有当为块状时是半金属但是在器件中是半导体的材料。示例性结构包括衬底、第一源极/漏极接触区、沟道结构、栅极电介质、栅电极和第二源极/漏极接触区。衬底具有上表面。沟道结构连接至第一源极/漏极接触区并且位于第一源极/漏极接触区上方，并且沟道结构位于衬底的上表面上方。沟道结构具有在第一源极/漏极接触区之上延伸的侧壁。沟道结构包括含铋半导体材料。栅极电介质为沿着沟道结构的侧壁。栅电极为沿着栅极电介质。第二源极/漏极接触区连接至沟道结构并且位于沟道结构上方。本发明涉及具有为块状半金属的半导体材料的器件及其形成方法。

主权项

1.一种半导体器件的结构，包括：衬底，具有上表面；第一源极/漏极接触区；沟道结构，连接至所述第一源极/漏极接触区并且位于所述第一源极/漏极接触区上方，所述沟道结构位于所述衬底的上表面上方，所述沟道结构具有在所述第一源极/漏极接触区之上延伸的侧壁，所述沟道结构包括含铋半导体材料，所述含铋半导体材料是铋(Bi)或掺杂的铋；栅极电介质，沿着所述沟道结构的所述侧壁；栅电极，沿着所述栅极电介质；以及第二源极/漏极接触区，连接至所述沟道结构并且位于所述沟道结构上方。