[发明专利]一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法

摘要

本发明涉及半导体良率提升领域，尤其涉及一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法，与现有技术相比，本发明提供的基于多晶硅层的图形特征进行功能分类的工艺热点检查方法，能够将原始多晶硅层图形按照器件功能分类，并对分类后的图形进行不同规格的最小线宽检查，从而方便工程技术人员更加精确地定位和判断最严重的热点问题，提高了光学临近效应修正处理过程的准确性和效率。

主权项

1.一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法，其特征在于，包括：S1：提供一个多晶硅层的光刻版图；S2：将所述版图中的多晶硅 层图形按器件功能分类并做标记，并对分类后的所述多晶硅 层图形进行不同规格的最小线宽检查；S3：对所述光刻版图进行光学临近效应修正，获得所述多晶硅 层图形数据；S4：对所述多晶硅 层图形数据进行工艺偏差模拟；S5：对各类所述多晶硅 层图形进行工艺热点检查；S6：获得所述各类多晶硅 层图形的工艺热点，并生成热点位置的索引文件；所述各类多晶硅 层图形包括：栅极图形，为所述多晶硅层图形与有源区图形重合部分；电阻图形，为被电阻识别层覆盖的图形部分；冗余图形，为既不接触所述有源区图形，也不接触所述电阻识别层的图形部分；连线图形，为所述栅极图形、所述电阻图形、所述冗余图形以外的其他图形部分；将符合分类标准的所述多晶硅层图形按类做好标记，所述分类标记与所述多晶硅层图形一一对应，并以所述多晶硅层图形为中心对所述多晶硅层图形进行完全包围。