[发明专利]快闪存储器的制作方法

摘要

一种快闪存储器的制作方法，首先在存储晶体管栅极堆叠结构外表面及其间的基底表面采用原子层沉积法形成功能层，该功能层厚度均匀，且不会填满间距较小的存储晶体管栅极堆叠结构之间的间隙；后对功能层进行处理使其表面粗糙易吸水；处理后的功能层吸水后，在功能层表面利用化学气相沉积工艺形成介质层，化学气相沉积工艺为高温工艺，在高温下，功能层内吸收的水分蒸发形成向上气流，阻止介质层沉积。该填充性能较差的填充工艺在间距较小的存储晶体管的栅极堆叠结构之间形成了空气隙，空气隙的介电常数小于二氧化硅介质层的介电常数，因而能降低读、写、擦除过程中产生的寄生电容，避免相邻存储晶体管之间相互干扰。

主权项

一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底至少包括存储单元区，所述存储单元区具有存储晶体管阵列以及选择晶体管，所述选择晶体管用于选择所述存储晶体管阵列中某一行或某一列存储晶体管；所述存储晶体管阵列包括多个分立的栅极堆叠结构以及位于所述栅极堆叠结构两侧的源漏区，所述选择晶体管包括栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的源漏区；其中，所述存储晶体管的栅极堆叠结构之间的间隙小于所述存储晶体管的栅极堆叠结构与所述选择晶体管的栅极结构之间的间隙；原子层沉积法在所述存储晶体管阵列的多个栅极堆叠结构外表面、相邻栅极堆叠结构之间的基底表面、选择晶体管的栅极结构外表面、以及存储晶体管的栅极堆叠结构与选择晶体管的栅极结构之间的基底表面形成功能层；对所述功能层进行处理使其表面粗糙易吸水；使所述处理后的功能层表面吸水；化学气相沉积法在所述吸水后的功能层上形成介质层，所述介质层覆盖所述存储晶体管阵列的多个栅极堆叠结构顶表面、选择晶体管的栅极结构顶表面，填充所述存储晶体管的栅极堆叠结构与选择晶体管的栅极结构之间的间隙，并在所述存储晶体管阵列的多个栅极堆叠结构之间形成空气隙。