[发明专利]一种Mo‑Si‑B金属间化合物棒材及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Mo‑Si‑B金属间化合物棒材，由以下原子百分比的原料制成硅8％～17％，硼20％～30％，余量为钼和不可避免的杂质。另外，本发明还公开了制备该Mo‑Si‑B金属间化合物棒材的方法，该方法为一、将原料粉末球磨后烘干，得到混合粉末；二、压制成型得到坯料，烧结处理得到Mo‑Si‑B金属间化合物烧结体；三、电子束熔炼得到Mo‑Si‑B金属间化合物铸锭，切割成半成品棒材；四、电子束区域熔炼得到Mo‑Si‑B金属间化合物棒材。本发明Mo‑Si‑B金属间化合物棒材具有纯度高和氧质量含量低的特点，在超高温的恶劣极端环境下有广阔的应用前景。

主权项

一种Mo‑Si‑B金属间化合物棒材，其特征在于，由以下原子百分比的原料制成：硅10％～20％，硼20％～40％，余量为钼和不可避免的杂质；制备该Mo‑Si‑B金属间化合物棒材的方法为：步骤一、将硅粉、硼粉和钼粉置于球磨机中，以无水乙醇为分散剂，在转速为420rpm～580rpm、球料比为(10～20):1的条件下球磨28h～42h，球磨后在真空条件下烘干，得到混合粉末；所述无水乙醇的体积为硅粉、硼粉和钼粉质量之和的0.5～1倍，其中体积的单位为mL，质量的单位为g；步骤二、将步骤一中所述混合粉末压制成型，得到坯料，然后将所述坯料置于烧结炉中，在真空度小于5×10‑3Pa的条件下进行烧结处理，随炉冷却后得到Mo‑Si‑B金属间化合物烧结体；所述烧结处理的温度为1800℃～2000℃，时间为2h～3h；步骤三、将步骤二中所述Mo‑Si‑B金属间化合物烧结体置于电子束熔炼炉中，在真空度小于5×10‑4Pa的条件下电子束熔炼3～6次，冷却后得到Mo‑Si‑B金属间化合物铸锭，然后将所述Mo‑Si‑B金属间化合物铸锭切割加工成半成品棒材；所述电子束熔炼的熔炼电流为1A～1.2A，熔炼电压为40kV～60kV；步骤四、对步骤三中所述半成品棒材进行打磨去除表面氧化皮，打磨后将所述半成品棒材在真空度小于2×10‑5Pa的条件下进行电子束区域熔炼，冷却后得到Mo‑Si‑B金属间化合物棒材；所述电子束区域熔炼的熔炼电流为0.8A～1A，熔炼电压为30kV～50kV。