[发明专利]高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法

摘要

本发明涉及一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。近年来，高介电常数和低介电损耗的介电功能材料由于其在电子行业和能源储存方面的广泛应用而得到了巨大的关注。一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层（1）、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层（2），其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置。本发明应用于高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。

主权项

1.一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层，其特征是：所述的聚偏氟乙烯基复合薄膜是由7层组成，所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置，且纯聚偏氟乙烯层位于最上层和最下层；所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层中氧化锌的形貌为棒状和莲花状；所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层中掺杂的棒状氧化锌的长度为10‑20μm，直径为700nm，所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层中掺杂的莲花状氧化锌的直径为10μm；所述的高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜的制备方法如下所述：其掺杂的棒状的氧化锌由沉淀法制备，由硝酸锌，硝酸铁分别作为锌源和铁源，尿素作为沉淀剂，加热回流反应温度为100℃，反应时间为1h，其掺杂的棒状氧化锌中的铁含量为5%；将棒状氧化锌溶于50mLN,N‑二甲基甲酰胺中超声震荡2h，加入10.25g聚偏氟乙烯粉末，超声溶解反应2h，得掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯胶液，掺杂的棒状氧化锌的含量为10%；将所得的胶液过滤真空抽气泡后在铺膜机上铺膜，在80℃下烘干2h，将所得薄膜在平板硫化机上压板30min，温度为170℃，压力为10MPa，所得板材的厚度为0.5mm；其掺杂的莲花状氧化锌由水热法制备，由硝酸锌，硝酸铁分别作为锌源和铁源，尿素作为沉淀剂，在高温高压反应釜中高温高压反应10h，温度为160℃，其掺杂的莲花状氧化锌中的铁含量为5%；将莲花状氧化锌溶于50mLN,N‑二甲基甲酰胺中超声震荡2h，加入10.25g聚偏氟乙烯粉末，超声溶解反应2h，得掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯胶液，掺杂的莲花状氧化锌的含量为5%；将所得的胶液过滤真空抽气泡后在铺膜机上铺膜，在80℃下烘干2h，将所得薄膜在平板硫化机上压板30min，温度为170℃，压力为10MPa，所得板材的厚度为0.5mm。