[发明专利]发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510708848.4 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105374912A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 朱学亮;张洁;刘建明;杜成孝;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，通过设计发光阱区势垒的材料结构，实现对电子空穴限制能力的提高，显著改善LED芯片在高温下的发光效率。其中发光二极管结构，包括第一类半导体层、第二类半导体层和夹在两者之间的有源层，所述有源层系由阱层和垒层交替构成的多量子阱结构，其中第一个垒层为铝组分自第一类半导体层至量子阱方向逐渐增加的第一AlGaN渐变层，位于阱层中间的垒层为AlGaN/GaN/AlGaN多层势垒层，最后一个垒层为铝组分从量子阱至第二类半导体层方向逐渐减少的第二AlGaN渐变层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管，包括第一类半导体层、第二类半导体层和夹在两者之间的有源层，所述有源层系由阱层和垒层交替构成的多量子阱结构，其中第一个垒层为铝组分自第一类半导体层至量子阱方向逐渐增加的第一AlGaN渐变层，位于阱层中间的垒层为AlGaN/GaN/AlGaN多层势垒层，最后一个垒层为铝组分从量子阱至第二类半导体层方向逐渐减少的第二AlGaN渐变层。
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