[发明专利]一种含独居石的低温烧结高致密度碳化硅基陶瓷电路板基板材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201510706673.3 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105367063A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 王丹丹;王乐平;夏运明;涂聚友 | 申请（专利权）人： | 合肥龙多电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 231600 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含独居石的低温烧结高致密度碳化硅基陶瓷电路板基板材料，该碳化硅基陶瓷基板以微米级的碳化硅、独居石粉体与纳米量级的氧化铝粉体复合使用，使得基体材料的烧结温度得到降低，陶瓷体的晶粒细小，强度更高，而含有纳米陶瓷粉透明液体的聚乙二醇复合溶剂对粉体间的浸润性和粘结能力强，可制得结构均匀的高强度坯体，在后续烧结过程中更易制成高致密度、高精度的复合陶瓷基板，其电绝缘性好，导热效率高，经久耐用，应用潜力巨大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 独居石 低温 烧结 致密 碳化硅 陶瓷 电路板 板材 料及 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含独居石的低温烧结高致密度碳化硅基陶瓷电路板基板材料，其特征在于，该材料由以下重量份的原料制成：碳化硅65‑70、纳米氧化铝10‑14、独居石8‑10、硅烷偶联剂kh550 1‑2、甘油8‑10、乙二醇5‑6、聚乙二醇1‑2、纳米陶瓷粉透明液体10‑12、去离子水50‑60。
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