[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201510695911.5 | 申请日： | 2015-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN106205700B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 李熙烈;刘泫昇 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；外围电路，用于施加编程电压并验证存储单元阵列的编程是否已经完成；以及控制逻辑，用于控制外围电路来在施加重新编程许可电压到耦接至先前通过编程验证但编程重新验证已经失败的存储单元的位线的同时施加被增大了的编程电压到存储单元阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；外围电路，被配置用来施加编程电压并验证存储单元阵列的编程是否已经完成；以及控制逻辑，被配置用来控制外围电路以在施加重新编程许可电压到耦接至先前通过编程验证但编程重新验证已经失败的存储单元的位线的同时施加被增大了的编程电压到存储单元阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510695911.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体存储器件及其操作方法
- 下一篇：半导体存储器件及其操作方法
