[发明专利]一种具有局域金属寿命控制的功率器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201510695743.X | 申请日： | 2015-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN106611797A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 吴迪;刘钺杨;何延强;董少华;曹功勋;刘江;金锐;温家良 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国网上海市电力公司;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/167;H01L21/329;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有局域金属寿命控制的功率器件及其制作方法，功率器件包括衬底和其上形成的P+区共同构成的PN结，在所述衬底N-层上生长有氧化层；在P+区内设有深能级掺杂层；深能级杂质的扩散完全依赖于温度，温度决定其扩散速度及在硅中的固溶度。在对深能级杂质进行热扩散时，采用单面退火，如激光退火方式进行，利用激光退火的局域温度分布在芯片轴向范围内实现深能级杂质的限定深度推结，本发明提供的技术方案实现器件局域金属寿命控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 局域 金属 寿命 控制 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有局域金属寿命控制的功率器件，所述功率器件包括衬底和其上形成的P+区共同构成的PN结，在所述衬底N‑层上生长有氧化层；其特征在于，在P+区内设有深能级掺杂层；所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，所述N型硅衬底包括依次分布的衬底N‑层以及衬底N+层。
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