[发明专利]GaN基器件中阻止欧姆接触铝元素横向扩散的方法在审
| 申请号： | 201510690873.4 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN105206524A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 王鑫华;黄森;魏珂;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基器件中阻止欧姆接触铝元素横向扩散的方法，将欧姆接触铝元素淀积在耐高温的氮化硅介质孔中，通过氮化硅介质阻挡欧姆接触铝元素的横向扩散，进而实现欧姆合金时的表面保护，降低界面污染和界面态。该方法包括：在外延材料表面生长耐高温的氮化硅介质；对覆盖在欧姆金属图形区域的氮化硅介质进行开孔；在氮化硅介质的开孔中蒸发欧姆接触金属形成金属堆叠，其中氮化硅介质的上表面不低于开孔区域中堆叠的金属铝层的上表面。本发明解决了GaN基器件欧姆接触制备中出现铝元素横向扩散问题，从而避免了高温合金工艺中材料表面污染恶化器件性能的风险，进而实现了欧姆合金时的表面保护，降低了界面污染和界面态。 | ||
| 搜索关键词： | gan 器件 阻止 欧姆 接触 元素 横向 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基器件中阻止欧姆接触铝元素横向扩散的方法，其特征在于，该方法是将欧姆接触铝元素淀积在耐高温的氮化硅介质孔中，通过氮化硅介质阻挡欧姆接触铝元素的横向扩散，进而实现欧姆合金时的表面保护，降低界面污染和界面态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
