[发明专利]一种氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510689003.5 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106609351A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 江晓红;刘光辉;庄玉召;德米特里·冰利普左夫;陆路德 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/58;C23C14/08 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人： | 朱显国,邹伟红 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法。在通入少量氮气的情况下，采用磁过滤真空直流阴极弧蒸发工艺在石英基底上沉积了氮掺杂钛薄膜，随后将其置于马弗炉中在大气氛围下退火处理制备了氮掺杂二氧化钛薄膜。该制备方法以金属钛为钛源，成本低廉且制备过程简单易行、可控性强。制得的氮掺杂二氧化钛薄膜表面微观粗糙度较小、结晶度高，具有较高的紫外-可见光吸收能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将预清洁的石英基底置于真空室内的旋转台上，采用高纯金属Ti为阴极弧靶材；关闭真空室腔门，对真空室抽真空；在真空度稳定后，开启N2阀门，控制N2分压调控通入N2的流量；调整旋转台的转速为3r/min，开启阴极弧开关，开始蒸发Ti靶沉积镀膜；镀膜过程结束后，待真空室腔内温度冷却到室温后取出薄膜样品；将薄膜样品进行退火处理即可得到氮掺杂二氧化钛薄膜。
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