[发明专利]三维半导体器件

摘要

本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体器件可包括：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括设置在间隙区中的多个互连图案。该模结构可包括限定互连图案的上表面和下表面的层间模以及限定低于层间模的互连图案的侧壁的侧壁模。

主权项

1.一种三维半导体器件，包括：基板，包括单元阵列区和连接区；一结构，包括交替且垂直地堆叠在所述基板上的多个导电图案和多个层间模；多个有源图案，穿透所述结构；和多个侧壁模，与所述有源图案间隔开并设置在所述导电图案的侧壁上，每个所述侧壁模设置在彼此垂直相邻的所述层间模之间并与所述层间模中的相邻层间模接触，其中所述侧壁模由与所述层间模不同的绝缘材料形成，以及其中所述侧壁模从所述单元阵列区延伸到所述连接区。