[发明专利]一种制备柔性碳纳米管场效应晶体管的方法

摘要

本发明属于半导体制造领域，公开了一种制备柔性碳纳米管场效应晶体管的方法，首先提供一硅衬底，接着在硅衬底上制备碳纳米管；然后制备以碳纳米管为沟道材料的场效应晶体管；再接着在碳纳米管场效应晶体管四周形成沟槽，且沟槽的四周相邻的端点处保留预设尺寸的桥接；然后对硅衬底进行横向刻蚀，以使碳纳米管场效应晶体管的底部保持悬空；最后采用PDMS印章工艺将碳纳米管场效应晶体管转移至柔性衬底，形成柔性碳纳米管场效应晶体管。本发明兼容了目前主流的高性能碳纳米管晶体管的制备工艺，通过集成柔性封装工艺，实现了柔性碳纳米管场效应晶体管的大规模量产，其市场应用价值广阔。

主权项

一种制备柔性碳纳米管场效应晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，提供一硅衬底，并在所述硅衬底上形成二氧化硅层；步骤S02，在具有二氧化硅层的硅衬底上制备碳纳米管；步骤S03，制备以所述碳纳米管为沟道材料的场效应晶体管；步骤S04，采用光刻和刻蚀工艺在碳纳米管场效应晶体管四周形成沟槽，且所述沟槽的四周相邻的端点处保留预设尺寸的桥接；步骤S05，对所述硅衬底进行横向刻蚀，以使碳纳米管场效应晶体管的底部保持悬空；步骤S06，采用PDMS印章工艺将碳纳米管场效应晶体管转移至柔性衬底，形成柔性碳纳米管场效应晶体管。