[发明专利]一种柔性有源压力/应变传感器结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510678839.5 | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN105203019B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 胡少坚;陈寿面;郭奥 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16;G01L1/16;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹英 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性有源压力/应变传感器结构及其制作方法，在柔性压电薄膜上直接集成碳纳米管薄膜晶体管阵列，压电薄膜的电荷变化可直接改变碳纳米管薄膜晶体管器件的阈值电压，通过检测碳纳米管薄膜晶体管器件阵列输出特性大小，可以检测出压电薄膜的应变与压力大小，使得输出端信号处理变得更简单，而且不需要考虑电阻匹配问题，输出信号通过有源器件控制，静态功耗低，具有结构和工艺较简单、可减少工艺步骤及成本的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 碳纳米管薄膜 应变传感器结构 晶体管器件 压电薄膜 源压力 柔性压电薄膜 晶体管阵列 电荷变化 电阻匹配 工艺步骤 静态功耗 输出信号 信号处理 阵列输出 阈值电压 输出端 源器件 检测 制作 | ||
【主权项】：
1.一种柔性有源压力/应变传感器结构，其特征在于，包括作为柔性衬底的压电薄膜，以及设于压电薄膜上的碳纳米管薄膜晶体管，所述碳纳米管薄膜晶体管以阵列方式集成在压电薄膜上，所述碳纳米管薄膜晶体管的有源区由碳纳米管薄膜构成，所述碳纳米管薄膜耦合所述碳纳米管薄膜晶体管的源/漏电极，阵列中每个所述碳纳米管薄膜晶体管的源/漏电极分别引出，以形成传感器阵列结构，阵列中每个所述碳纳米管薄膜晶体管的栅电极都是与所述压电薄膜粘合在一起形成欧姆接触的浮栅，所述碳纳米管薄膜和源/漏电极通过栅介质与所述栅电极、压电薄膜相隔离，通过检测所述碳纳米管薄膜晶体管阵列输出特性大小，以检测出压电薄膜的应变与压力大小。
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