[发明专利]超高频RFID标签芯片阻抗自适应电路及其实现方法有效

专利信息
申请号: 201510675722.1 申请日: 2015-10-16
公开(公告)号: CN106599972B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 梅年松;张钊锋 申请(专利权)人: 中国科学院上海高等研究院
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 成秋丽
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种超高频RFID标签芯片阻抗自适应电路及其实现方法,该电路包括:可变电容,一端连接标签天线和整流器,另一端接电荷泵电路输出;整流器,将天线接收的射频能量转变为直流电压,其输出端连接后续电路、控制电路;控制电路,一端连接整流器输出,另一端连接电荷泵,根据整流器的输出电压控制电荷泵充放电;电荷泵,在控制电路的控制下对电容进行充放电;固定电容,一端连接可变电容与所述电荷泵,另一端接地,稳定V1点电压。本发明可以在电路功耗开销很小的情况下实现阻抗自动调节功能。
搜索关键词: 超高频 rfid 标签 芯片 阻抗 自适应 电路 及其 实现 方法
【主权项】:
1.一种超高频RFID标签芯片阻抗自适应电路,至少包括:可变电容,一端连接标签天线和整流器,另一端接电荷泵电路输出;整流器,将天线接收的射频能量转变为直流电压,其输出端连接后续电路、控制电路;控制电路,一端连接整流器,另一端连接电荷泵,根据整流器的输出电压控制电荷泵充放电;电荷泵,包括一PMOS开关、第一电流源、第二电流源及一NMOS开关,所述PMOS开关、NMOS管开关的栅极与所述控制电路输出相连,所述PMOS开关的漏极串联所述第一电流源,所述NMOS开关的漏极串联所述第二电流源,所述第一电流源的另一端和所述第二电流源的另一端相连组成输出节点,该输出节点连接一电容的一端和所述可变电容一端,所述NMOS开关的源极接地,所述PMOS开关源极接电源电压,所述电荷泵在所述控制电路的控制下对电容进行充放电;电容,一端连接可变电容与所述电荷泵,另一端接地;所述电荷泵在所述控制电路的控制下对电容进行充放电,使得与电容串联的可变电容的电容相应改变,导致标签芯片输入端阻抗变化,该阻抗变化则令所述整流器的输出电压相应变化,从而对标签芯片阻抗实现自适应调节。
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