[发明专利]一种结晶器铜管的单质镍过渡层电镀方法在审
| 申请号： | 201510675345.1 | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN105200462A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 姜少群 | 申请（专利权）人： | 姜少群 |
| 主分类号： | C25D3/12 | 分类号： | C25D3/12;C25D7/04;B22D11/057 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315113 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结晶器铜管的单质镍过渡层电镀方法，所述镀单质镍过渡层的镀液成分为：氨基磺酸镍500-600g/L，硫酸镍25-35g/L，十二烷基硫酸钠55-65g/L；电镀工艺为：pH4-6，镀液温度约45-55℃，阴极电流密度4.5-6.5A/dm2，浸镀时间约10-20min；镀层厚度约3-4μm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结晶器 铜管 单质 过渡 电镀 方法 | ||
【主权项】：
一种结晶器铜管的单质镍过渡层电镀方法，其特征在于：所述镀单质镍过渡层的镀液成分为：氨基磺酸镍500‑600g/L，硫酸镍25‑35g/L，十二烷基硫酸钠55‑65g/L；电镀工艺为：pH4‑6，镀液温度约45‑55℃，阴极电流密度4.5‑6.5A/dm2，浸镀时间约10‑20min；镀层厚度约3‑4μm。
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