[发明专利]减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁装置及方法在审
| 申请号： | 201510673315.7 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105280531A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 冯会雨;徐凝华;曾雄;贺新强;李寒;程崛;李亮星;严璠;周铮;韩星尧 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 张少辉;刘华联 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁装置及方法，所述装置包括：清洁腔体，清洁腔体设于键合点胶的上料轨道上，上料轨道用于传送芯片，清洁腔体内设置有吹气管道以及吸气管道，吹气管道的出风口设于芯片的至少其中一侧的斜上方，吸气管道的进风口对应地设于芯片的相对侧的斜上方。本发明所提供的装置及方法能够在引线键合之后，键合点胶之前，进行针对芯片表面残留焊球及铝屑的清洁，从而防止金属残留物被键合胶固定在门极总线位置导致芯片GE失效的情况，减少GE短路的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 igbt 功率 模块 封装 ge 短路 在线 清洁 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种减少IGBT功率模块封装中GE短路的在线气相清洁装置，其特征在于，包括：清洁腔体，所述清洁腔体设于键合点胶的上料轨道上，所述上料轨道用于传送芯片，其中，所述清洁腔体内设置有吹气管道以及吸气管道，所述吹气管道的出风口设于芯片的至少其中一侧的斜上方，所述吸气管道的进风口对应地设于芯片的相对侧的斜上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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